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IRFL110TRPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.5 A, 0.54 ohm, SOT-223, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFL110TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5295
Re-reeling (Rollos a medida)60AC3691RL
Cinta adhesiva60AC3691
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.520 | $1.52 |
| Total Precio | $1.52 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.520 |
| 50+ | $1.140 |
| 100+ | $0.646 |
| 250+ | $0.587 |
| 500+ | $0.527 |
| 1000+ | $0.473 |
| 2500+ | $0.427 |
| 5000+ | $0.391 |
Hilado completo
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $0.366 |
| 5000+ | $0.360 |
| 7500+ | $0.338 |
| 12500+ | $0.321 |
| 25000+ | $0.305 |
| 62500+ | $0.295 |
nota de línea
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFL110TRPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark
Hilado completo86AK5295
Re-reeling (Rollos a medida)60AC3691RL
Cinta adhesiva60AC3691
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100V
Intensidad Drenador Continua Id1.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia3.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
The IRFL110TRPBF is a HEXFET® third generation N-channel Power MOSFET provides the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design and low ON-resistance. The package is designed for surface-mount using vapour phase, infrared or wave soldering techniques. Its unique package design allows for easy automatic pick-and-place as with other SOT or SOIC packages but has the added advantage of improved thermal performance due to an enlarged tab for heat sinking. Power dissipation of greater than 1.25W is possible in a typical surface-mount application.
- Dynamic dV/dt rating
- Repetitive avalanche rating
- Fast switching
- Ease of paralleling
- Simple drive requirements
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54ohm
Diseño de Transistor
SOT-223
Disipación de Potencia Pd
0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
1.5A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFL110TRPBF
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto