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IRFIBF20GPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 900 V, 1.2 A, 8 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFIBF20GPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark63J6734
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $4.470 |
| 10+ | $2.530 |
| 100+ | $2.330 |
| 500+ | $2.010 |
| 1000+ | $1.940 |
| 2500+ | $1.900 |
| 5000+ | $1.860 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFIBF20GPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante31 semanas
No. Parte Newark63J6734
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds900
Intensidad Drenador Continua Id1.2
Resistencia de Activación Rds(on)8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd30W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia30
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
900
Resistencia de Activación Rds(on)
8ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8
Disipación de Potencia Pd
30W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
30
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
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RoHS
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