Imprimir página
IRFIB6N60APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 5.5 A, 0.75 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFIB6N60APBF
No. Parte Newark63J6739
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 10 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $2.45 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$2,450.00
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFIB6N60APBF
No. Parte Newark63J6739
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id5.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75
Resistencia de Activación Rds(on)0.75ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd60W
Diseño de TransistorTO-220FP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFIB6N60APBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N de 600 V con configuración única. Es adecuado para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y aplicaciones de conmutación de potencia de alta velocidad.
- La carga de puerta baja Qg da como resultado un requisito de unidad simple
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
- Aislamiento de alto voltaje
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.5
Resistencia de Activación Rds(on)
0.75ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto