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IRFI9Z14GPBF
MOSFET, P-CH, 60V, 5.3A, TO-220
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFI9Z14GPBFCopiar
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.200 |
| 10+ | $2.130 |
| 100+ | $1.520 |
| 500+ | $1.260 |
| 1000+ | $1.170 |
| 2500+ | $1.160 |
| 10000+ | $1.150 |
Precio para:Cada
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFI9Z14GPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante24 semanas
No. Parte Newark56AJ9877
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60V
Intensidad Drenador Continua Id5.3A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia Pd0
Disipación de Potencia27W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5ohm
Diseño de Transistor
TO-220
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia Pd
0
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
5.3A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia
27W
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Calificación
-
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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