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IRFI9640GPBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 200 V, 6.1 A, 0.5 ohm, TO-220FP, Agujero Pasante
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $2.200 |
| 2500+ | $2.150 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$2,200.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFI9640GPBF
No. Parte Newark63J6791
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id6.1A
Resistencia de Activación Rds(on)0.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.5ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Disipación de Potencia Pd40W
Diseño de TransistorTO-220FP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia40W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.5ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
40W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
6.1A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.5ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Diseño de Transistor
TO-220FP
Disipación de Potencia
40W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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