IRFI640GPBF

El IRFI640GPBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El FULLPAK elimina la necesidad de hardware de aislamiento adicional. El compuesto de moldeo utilizado proporciona una alta capacidad de aislamiento y una baja resistencia térmica entre la pestaña y el disipador de calor externo. El aislamiento es equivalente a utilizar una barrera de mica de 100 micrones con un producto estándar. El FULLPAK se monta en un disipador de calor mediante un solo clip o mediante un solo tornillo de fijación.

• Paquete aislado
• 2.5kVRMS (t = 60s, f = 60Hz) Aislamiento de alto voltaje
• 4.8mm de sumidero para llevar la distancia de fuga
• Clasificación dv/dt dinámica
• Baja resistencia térmica