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IRFBG30PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 1 kV, 3.1 A, 5 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG30PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6356
Rango de ProductoIRFBG30 Series
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 10 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.080 |
| 10+ | $1.870 |
| 25+ | $1.810 |
| 50+ | $1.760 |
| 100+ | $1.700 |
| 500+ | $1.390 |
| 1000+ | $1.290 |
| 2500+ | $1.220 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$3.08
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBG30PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6356
Rango de ProductoIRFBG30 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1
Intensidad Drenador Continua Id3.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente5
Resistencia de Activación Rds(on)5ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
Disipación de Potencia Pd125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de ProductoIRFBG30 Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
5
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
IRFBG30 Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.1
Resistencia de Activación Rds(on)
5ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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