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IRFBE20PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBE20PBF
No. Parte Newark63J6693
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Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 62 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.560 |
| 2500+ | $1.440 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
$1,560.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFBE20PBF
No. Parte Newark63J6693
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds800
Intensidad Drenador Continua Id1.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente6.5
Resistencia de Activación Rds(on)6.5ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd54W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia54
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
800
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
6.5
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.8
Resistencia de Activación Rds(on)
6.5ohm
Disipación de Potencia Pd
54W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
54
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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