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IRFB9N60APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 600 V, 9.2 A, 0.75 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB9N60APBF
No. Parte Newark38K2497
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.650 |
| 10+ | $1.900 |
| 25+ | $1.880 |
| 50+ | $1.870 |
| 100+ | $1.850 |
| 500+ | $1.760 |
| 1000+ | $1.740 |
| 2500+ | $1.670 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.65
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB9N60APBF
No. Parte Newark38K2497
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds600
Intensidad Drenador Continua Id9.2
Resistencia de Activación Rds(on)0.75ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.75
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd170W
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia de canal N en encapsulado TO-220AB
- La carga de puerta baja Qg da como resultado un requisito de unidad simple
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dt
- Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
- Se utiliza en fuente de alimentación conmutada (SMPS), fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de energía de alta velocidad
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
600
Resistencia de Activación Rds(on)
0.75ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
170W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
9.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.75
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRFB9N60APBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
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