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IRFB11N50APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB11N50APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark38K2474
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.980 |
| 10+ | $1.650 |
| 100+ | $1.370 |
| 500+ | $1.210 |
| 1000+ | $1.180 |
| 2500+ | $1.160 |
| 5000+ | $1.130 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB11N50APBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark38K2474
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.52
Resistencia de Activación Rds(on)0.52ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia170
Disipación de Potencia Pd170W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
MOSFET de potencia adecuado para su uso en fuente de alimentación conmutada (SMPS), fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de potencia de alta velocidad. Para las tropologías SMPS de línea, son aplicables dos transistores hacia adelante, medio puente y puente completo y refuerzo de corrección del factor de potencia.
- Qi de carga de puerta baja da como resultado un requisito de accionamiento simple
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dot
- Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.52
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
170
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia de Activación Rds(on)
0.52ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
170W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
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2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto