Imprimir página
IRFB11N50APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 11 A, 0.52 ohm, TO-220, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
454 En Inventario
¿Necesita más?
39 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
415 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.643 |
| 10+ | $0.643 |
| 25+ | $0.643 |
| 50+ | $0.643 |
| 100+ | $0.643 |
| 500+ | $0.643 |
| 1000+ | $0.643 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$0.64
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFB11N50APBF
No. Parte Newark38K2474
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id11
Resistencia de Activación Rds(on)0.52ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.52
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd170W
Disipación de Potencia170
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
MOSFET de potencia adecuado para su uso en fuente de alimentación conmutada (SMPS), fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de potencia de alta velocidad. Para las tropologías SMPS de línea, son aplicables dos transistores hacia adelante, medio puente y puente completo y refuerzo de corrección del factor de potencia.
- Qi de carga de puerta baja da como resultado un requisito de accionamiento simple
- Puerta mejorada, avalancha y robustez dinámica dV/dot
- Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
0.52ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
170W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
11
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.52
Montaje de Transistor
Through Hole
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
170
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto