Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9Z34PBF
No. Parte Newark63J7425
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
129 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
Disponible en la cantidad indicada
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.53 |
| 10+ | $1.83 |
| 25+ | $1.75 |
| 50+ | $1.68 |
| 100+ | $1.61 |
| 500+ | $1.55 |
| 1000+ | $1.50 |
| 2500+ | $1.47 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.53
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9Z34PBF
No. Parte Newark63J7425
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.14
Resistencia de Activación Rds(on)0.14ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd88W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia88
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF9Z34PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.14
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia de Activación Rds(on)
0.14ohm
Disipación de Potencia Pd
88W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
88
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto