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IRF9610SPBF
MOSFET, P-CH, 200V, 1.8A, TO-263
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9610SPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.650 |
| 10+ | $1.610 |
| 25+ | $1.470 |
| 50+ | $1.330 |
| 100+ | $1.190 |
| 500+ | $1.080 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9610SPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante42 semanas
No. Parte Newark56AJ9929
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id1.8A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente3ohm
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia20W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
3ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
20W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
1.8A
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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