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IRF9520SPBF
MOSFET, P-CH, 100 V, 6.8 A, TO-263AB-3
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 31 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.150 |
| 10+ | $1.990 |
| 25+ | $1.350 |
| 50+ | $1.330 |
| 100+ | $1.310 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $1.090 |
| 2500+ | $1.060 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.15
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF9520SPBF
No. Parte Newark97W2292
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id6.8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.6
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-263AB
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd0
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.6
Diseño de Transistor
TO-263AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
6.8
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Montaje de Transistor
Surface Mount
Disipación de Potencia Pd
0
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF9520SPBF
1 producto (s) encontrado (s)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
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