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IRF9510PBF
MOSFET de Potencia, Canal P, 100 V, 4 A, 1.2 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF9510PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 31 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7426 |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
71 En Inventario
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.670 |
| 10+ | $1.300 |
| 100+ | $0.890 |
| 500+ | $0.872 |
| 1000+ | $0.854 |
| 2500+ | $0.837 |
| 5000+ | $0.819 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF9510PBFCopiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 31 semanas |
| No. Parte Newark | 63J7426 |
| Hoja de datos técnicos | |
| Transistor, Polaridad | Canal P |
| Tipo de Canal | Canal P |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 4 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 1.2 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 1.2ohm |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia Pd | 43W |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 43 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Calificación | - |
| Rango de Producto | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Resumen del producto
El IRF9510PBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal P de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo reforzado y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 175°C
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
| Transistor, Polaridad | Canal P |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 100 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 1.2 |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Disipación de Potencia Pd | 43W |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Calificación | - |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) | - |
| Tipo de Canal | Canal P |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 4 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 1.2ohm |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Diseño de Transistor | TO-220 |
| Disipación de Potencia | 43 |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 175 |
| Rango de Producto | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF9510PBF
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
 | Proposition 65 |