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IRF840LCPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF840LCPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark63J7416
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.360 |
| 10+ | $2.220 |
| 25+ | $2.120 |
| 50+ | $2.040 |
| 100+ | $1.950 |
| 250+ | $1.880 |
| 500+ | $1.860 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF840LCPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark63J7416
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85
Resistencia de Activación Rds(on)0.85ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd125W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.85ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
125W
Disipación de Potencia
125
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
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Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
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