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IRF840APBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF840APBF-BE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 25 semanas |
| No. Parte Newark | 78AH6385 |
| Rango de Producto | IRF840A Series |
| Su número de pieza | |
| Hoja de datos técnicos |
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| 500+ | $1.180 |
| 1000+ | $1.150 |
| 2500+ | $1.110 |
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Información del producto
| Fabricante | VISHAY |
|---|---|
| No. Parte Fabricante | IRF840APBF-BE3Copiar |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante | 25 semanas |
| No. Parte Newark | 78AH6385 |
| Rango de Producto | IRF840A Series |
| Hoja de datos técnicos | |
| Tipo de Canal | Canal N |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 500 |
| Intensidad Drenador Continua Id | 8 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.85 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.85ohm |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia | 125 |
| Disipación de Potencia Pd | 125W |
| No. de Pines | 3Pines |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Rango de Producto | IRF840A Series |
| Calificación | - |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
Alternativas para el número de pieza IRF840APBF-BE3
1 producto (s) encontrado (s)
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
| Tipo de Canal | Canal N |
|---|---|
| Voltaje de Drenaje-Fuente Vds | 500 |
| Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente | 0.85 |
| Diseño de Transistor | TO-220AB |
| Voltaje de Prueba Rds(on) | 10 |
| Disipación de Potencia | 125 |
| No. de Pines | 3Pines |
| Rango de Producto | IRF840A Series |
| Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) | Lead (04-Feb-2026) |
| Transistor, Polaridad | Canal N |
|---|---|
| Intensidad Drenador Continua Id | 8 |
| Resistencia de Activación Rds(on) | 0.85ohm |
| Montaje de Transistor | Agujero Pasante |
| Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente | 4 |
| Disipación de Potencia Pd | 125W |
| Temperatura de Trabajo Máx. | 150 |
| Calificación | - |
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
| US ECCN: | EAR99 |
|---|---|
| EU ECCN: | Unknown |
| Conforme a RoHS: | Sí RoHS |
| Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS): | Sí RoHS |
| Valor de sustancia extremadamente preocupante: | Lead (04-Feb-2026) |
| Descargue el certificado de cumplimiento del producto | Certificado de conformidad del producto |
| Trazabilidad del producto |