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IRF840ALPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 8 A, 0.85 ohm, TO-262, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF840ALPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark63J7411
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF840ALPBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark63J7411
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.85
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia3.1
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Resumen del producto
The IRF840ALPBF is a HEXFET® N-channel Power MOSFET offers low gate charge Qg results in simple drive requirement. It is suitable for high speed power switching.
- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
- Fully characterized capacitance, avalanche voltage and current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
8
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.85
Disipación de Potencia
3.1
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF840ALPBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto