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IRF830SPBF
MOSFET, N-CH, 500V, 4.5A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830SPBF
No. Parte Newark56AJ9921
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.260 |
| 10+ | $1.210 |
| 25+ | $1.180 |
| 50+ | $1.170 |
| 100+ | $1.170 |
| 250+ | $1.170 |
| 500+ | $1.160 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830SPBF
No. Parte Newark56AJ9921
Hoja de datos técnicos
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500V
Intensidad Drenador Continua Id4.5A
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia74W
Disipación de Potencia Pd0
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500V
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
74W
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
4.5A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
Disipación de Potencia Pd
0
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
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