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IRF830SPBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830SPBF.
No. Parte Newark15AC3091
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $3.130 |
| 10+ | $1.320 |
| 25+ | $1.290 |
| 50+ | $1.260 |
| 100+ | $1.230 |
| 250+ | $1.200 |
| 500+ | $1.160 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830SPBF.
No. Parte Newark15AC3091
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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