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IRF830PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 4.5 A, 1.5 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark63J7409
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.340 |
| 10+ | $2.030 |
| 100+ | $1.860 |
| 500+ | $1.090 |
| 1000+ | $1.060 |
| 2500+ | $1.040 |
| 5000+ | $1.020 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante23 semanas
No. Parte Newark63J7409
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id4.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd74W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El IRF830PBF es un MOSFET SMPS de canal N de 500V con Qg de carga de puerta baja que da como resultado un requisito de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con la aplicación de conmutación dura. Adecuado para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de energía de alta velocidad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 150°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
4.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza IRF830PBF
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto