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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF830APBF.
No. Parte Newark27AC6908
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.4
Resistencia de Activación Rds(on)1.4ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Disipación de Potencia Pd74W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF830APBF es un MOSFET SMPS de canal N de 500V con carga baja de puerta Qg que da como resultado un requisito de unidad simple. Funciona a alta frecuencia con la aplicación de conmutación dura. Adecuado para SMPS, fuente de alimentación ininterrumpida y conmutación de energía de alta velocidad.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 150°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.4
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia de Activación Rds(on)
1.4ohm
Disipación de Potencia Pd
74W
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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