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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF730PBF
No. Parte Newark63J7380
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.34 |
| 10+ | $1.24 |
| 25+ | $1.09 |
| 50+ | $1.05 |
| 100+ | $1.00 |
| 500+ | $0.97 |
| 1000+ | $0.93 |
| 2500+ | $0.92 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF730PBF
No. Parte Newark63J7380
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds400
Intensidad Drenador Continua Id5.5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1
Resistencia de Activación Rds(on)1ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd74W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia74
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF730PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 400V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Temperatura de funcionamiento de 150°C
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
400
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
74W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.5
Resistencia de Activación Rds(on)
1ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
74
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF730PBF
1 producto (s) encontrado (s)
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5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto