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IRF640PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF640PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6378
Rango de ProductoIRF640 Series
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.040 |
| 10+ | $1.480 |
| 25+ | $1.400 |
| 50+ | $1.320 |
| 100+ | $1.250 |
| 500+ | $1.170 |
| 1000+ | $1.120 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF640PBF-BE3
No. Parte Newark78AH6378
Rango de ProductoIRF640 Series
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id18
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia125
Disipación de Potencia Pd125W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoIRF640 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
125
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
18
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
125W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
IRF640 Series
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