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IRF620SPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF620SPBF
No. Parte Newark63J7331
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Hoja de datos técnicos
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Plazo de entrega estándar del fabricante: 10 semanas
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.240 |
| 2500+ | $1.210 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1000
Múltiple: 1000
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF620SPBF
No. Parte Newark63J7331
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200V
Intensidad Drenador Continua Id5.2A
Resistencia de Activación Rds(on)0.8ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.8ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd50W
Voltaje de Prueba Rds(on)10V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4V
Disipación de Potencia50W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200V
Resistencia de Activación Rds(on)
0.8ohm
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4V
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.2A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.8ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
50W
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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