Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF620PBF
No. Parte Newark63J7330
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
799 En Inventario
¿Necesita más?
Envío el mismo día
Haga el pedido antes de las 9 p.m., hora estándar del este, para un envío normal
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.820 |
| 10+ | $0.892 |
| 25+ | $0.841 |
| 50+ | $0.791 |
| 100+ | $0.740 |
| 500+ | $0.669 |
| 1000+ | $0.641 |
| 2500+ | $0.595 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$1.82
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF620PBF
No. Parte Newark63J7330
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id5.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.8
Resistencia de Activación Rds(on)0.8ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd50W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia50
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF620PBF es un Power MOSFET de modo de mejora de canal N de tercera generación que viene con la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo resistente y baja resistencia de encendido. El paquete es universalmente preferido para niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W. La baja resistencia térmica del paquete contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.8
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
50W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.8ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
50
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Productos relacionados
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto