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IRF610PBF.
MOSFET de Potencia, Canal N, 200 V, 3.3 A, 1.5 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF610PBF.
No. Parte Newark27AC6874
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds200
Intensidad Drenador Continua Id3.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.5
Resistencia de Activación Rds(on)1.5ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd36W
Diseño de TransistorTO-220
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia36
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRF610PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 200V, el MOSFET de potencia de tercera generación proporciona al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto y baja resistencia a la sobrecarga. El paquete es universalmente preferido para todas las aplicaciones comerciales-industriales a niveles de disipación de potencia de aproximadamente 50W.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Fácil conexión paralela
- Requerimiento controlador sencillo
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
200
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.5
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
36W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.3
Resistencia de Activación Rds(on)
1.5ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
TO-220
Disipación de Potencia
36
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
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Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):No
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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