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IRF540PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 28 A, 0.077 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF540PBF-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark78AH6376
Rango de ProductoIRF540 Series
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Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 33 semanas
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1000+ | $1.260 |
| 2000+ | $1.180 |
| 3000+ | $1.160 |
| 5000+ | $1.130 |
| 10000+ | $1.110 |
| 25000+ | $1.090 |
| 50000+ | $1.060 |
| 100000+ | $1.040 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF540PBF-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante33 semanas
No. Parte Newark78AH6376
Rango de ProductoIRF540 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id28
Resistencia de Activación Rds(on)0.077ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.077
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia150
Disipación de Potencia Pd150W
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de ProductoIRF540 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
Notas
El sufijo BE3 indica producción fuera de China, no sujeta a aranceles de importación de EE. UU.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.077ohm
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
150
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
IRF540 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
28
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.077
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia Pd
150W
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Calificación
-
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