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IRF520PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 9.2 A, 0.27 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF520PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark63J7305
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $2.710 |
| 10+ | $1.470 |
| 100+ | $1.350 |
| 500+ | $1.120 |
| 1000+ | $1.060 |
| 2500+ | $1.040 |
| 5000+ | $1.020 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
$2.71
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF520PBFCopiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante40 semanas
No. Parte Newark63J7305
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id9.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.27
Resistencia de Activación Rds(on)0.27ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd60W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Diseño de TransistorTO-220AB
Disipación de Potencia60
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (04-Feb-2026)
Resumen del producto
El IRF520PBF es un MOSFET de potencia de canal N de 100V que ofrece al diseñador la mejor combinación de conmutación rápida, diseño de dispositivo robusto, baja resistencia y rentabilidad. La baja resistencia térmica contribuye a su amplia aceptación en toda la industria.
- Clasificación dv/dt dinámica
- Clasificado avalancha repetitiva
- Conmutación rápida
- Facilidad de paralelismo
- Requerimientos controlador sencillo
- Voltaje de compuerta a fuente de ±20V
- Resistencia térmica de 2.5°C/W, de unión a carcasa
- Resistencia térmica de 62°C/W, unión a ambiente
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.27
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
60W
Diseño de Transistor
TO-220AB
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0.27ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
60
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (04-Feb-2026)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza IRF520PBF
2 productos encontrados
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (04-Feb-2026)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto