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IRF510PBF-BE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-220AB, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
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Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark06AJ9154
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.730 |
| 10+ | $0.971 |
| 100+ | $0.641 |
| 500+ | $0.580 |
| 1000+ | $0.546 |
| 2500+ | $0.515 |
| 10000+ | $0.506 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRF510PBF-BE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante22 semanas
No. Parte Newark06AJ9154
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id5.6
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.54
Resistencia de Activación Rds(on)0.54ohm
Diseño de TransistorTO-220AB
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia Pd43W
Disipación de Potencia43
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.54
Diseño de Transistor
TO-220AB
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia Pd
43W
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5.6
Resistencia de Activación Rds(on)
0.54ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
Disipación de Potencia
43
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto