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2N5912
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -25 V, 40 mA, -5 V, TO-78, 6 Pines, 150 °C
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N5912
No. Parte Newark13C2017
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-25V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula7mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero40mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-5V
Diseño de TransistorTO-78
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines6 Pines
Tipo de CanalCanal N
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-25V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
7mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-5V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-25V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
40mA
Diseño de Transistor
TO-78
No. de Pines
6 Pines
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto