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2N5566
Transistor JFET, Efecto de Campo de Unión, -40 V, 30 mA, -3 V, TO-71, 6 Pines, 150 °C
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FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N5566
No. Parte Newark13C2015
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Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte Fabricante2N5566
No. Parte Newark13C2015
Hoja de datos técnicos
Voltaje de Ruptura Vbr-40V
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula5mA
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero30mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta-3V
Diseño de TransistorTO-71
Tipo de TransistorJFET
No. de Pines6 Pines
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Temperatura de Trabajo Máx.150°C
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Voltaje de Ruptura Vbr
-40V
Corr. de Drenaje Idss Mín, Tensión Puerta Nula
5mA
Máx. Voltaje Corte Fuente de Compuerta
-3V
Tipo de Transistor
JFET
Tipo de Canal
Canal N
Temperatura de Trabajo Máx.
150°C
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Máx. Voltaje de Ruptura de Compuerta a Fuente
-40V
Máx. Corriente Drenaje Volt. Compuerta Cero
30mA
Diseño de Transistor
TO-71
No. de Pines
6 Pines
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:No
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto