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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM110P04-05-E3
No. Parte Newark96K5342
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUM110P04-05-E3
No. Parte Newark96K5342
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds40
Intensidad Drenador Continua Id110
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.005
Resistencia de Activación Rds(on)0.0041ohm
Diseño de TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd375W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia375
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SUM110P04-05-E3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -40V.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
40
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.005
Diseño de Transistor
TO-263 (D2PAK)
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
110
Resistencia de Activación Rds(on)
0.0041ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
375W
Disipación de Potencia
375
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
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