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SUD23N06-31-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 9.1 A, 0.031 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD23N06-31-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)16P3889RL
Cinta adhesiva16P3889
Rango de ProductoSerie TrenchFET
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en pedidos superiores a $150 Dlls
Entrega prioritaria disponible
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Opciones de embalaje
| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 1 | $1.600 | $1.60 |
| Total Precio | $1.60 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.600 |
| 50+ | $1.060 |
| 100+ | $0.749 |
| 250+ | $0.683 |
| 500+ | $0.617 |
| 1000+ | $0.574 |
| 2500+ | $0.538 |
| 5000+ | $0.527 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSUD23N06-31-GE3Copiar
Tiempo de entrega estándar del fabricante16 semanas
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)16P3889RL
Cinta adhesiva16P3889
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id9.1
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.031
Resistencia de Activación Rds(on)0.045ohm
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd5.7W
Voltaje de Prueba Rds(on)20
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente3
Disipación de Potencia5.7
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de ProductoSerie TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El SUD23N06-31-GE3 es un MOSFET de potencia de modo de mejora de canal N TrenchFET® de 60VDS adecuado para aplicaciones de convertidor de CD a CD.
- Probado Rg 100%
- Probado UIS 100%
- Libre de halógenos
- Rango de temperatura de operación entre -55 y 150°C
Advertencias
La demanda del mercado de este producto ha causado una extensión en los plazos de entrega, las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.031
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
5.7W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
3
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
9.1
Resistencia de Activación Rds(on)
0.045ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
20
Disipación de Potencia
5.7
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
Serie TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (2)
Alternativas para el número de pieza SUD23N06-31-GE3
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Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto