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SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 12 A, 33 mohm, PowerPAK SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA461DJ-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62W0506
Cinta adhesiva62W0506
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| Tipo de embalaje | Cantidad | Precio unitario: | Total |
|---|---|---|---|
| Cinta adhesiva | 5 | $1.230 | $6.15 |
| Total Precio | $6.15 | ||
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $1.230 |
| 10+ | $0.844 |
| 25+ | $0.741 |
| 50+ | $0.637 |
| 100+ | $0.534 |
| 250+ | $0.433 |
| 500+ | $0.331 |
| 1000+ | $0.244 |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA461DJ-T1-GE3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)62W0506
Cinta adhesiva62W0506
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia17.9
Disipación de Potencia Pd17.9W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de 20V (D-S)
- Paquete PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Utilizado en teléfonos inteligentes, tabletas, computación móvil
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
17.9
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
Disipación de Potencia Pd
17.9W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIA461DJ-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
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