Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA461DJ-T1-GE3
No. Parte Newark62W0506
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
13,750 En Inventario
¿Necesita más?
Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Haga el pedido antes de las 9 p.m. EST para un envío normal
Opciones de embalaje
Cinta adhesiva & Re-reeling (Rollos a medida)
| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $0.731 |
| 10+ | $0.478 |
| 25+ | $0.429 |
| 50+ | $0.381 |
| 100+ | $0.332 |
| 250+ | $0.301 |
| 500+ | $0.270 |
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSIA461DJ-T1-GE3
No. Parte Newark62W0506
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal P
Tipo de CanalP Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds20
Intensidad Drenador Continua Id12
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente33
Resistencia de Activación Rds(on)0.025ohm
Diseño de TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorSurface Mount
Voltaje de Prueba Rds(on)4.5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente400
Disipación de Potencia17.9
Disipación de Potencia Pd17.9W
No. de Pines6Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
- MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de 20V (D-S)
- Paquete PowerPAK® SC-70 térmicamente mejorado
- Baja resistencia de ENCENDIDO
- Utilizado en teléfonos inteligentes, tabletas, computación móvil
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
33
Diseño de Transistor
PowerPAK SC-70
Voltaje de Prueba Rds(on)
4.5
Disipación de Potencia
17.9
No. de Pines
6Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
P Channel
Intensidad Drenador Continua Id
12
Resistencia de Activación Rds(on)
0.025ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
400
Disipación de Potencia Pd
17.9W
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Alternativas para el número de pieza SIA461DJ-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto