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SI7423DN-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 11.7 A, 0.018 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI7423DN-T1-E3Copiar
No. Parte Newark57J5728
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Transistor, PolaridadCanal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id11.7
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.018
Resistencia de Activación Rds(on)0.014ohm
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.5W
Diseño de TransistorPowerPAK 1212
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente1
Disipación de Potencia1.5
No. de Pines8Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.018
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Disipación de Potencia Pd
1.5W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
1
No. de Pines
8Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal P
Intensidad Drenador Continua Id
11.7
Resistencia de Activación Rds(on)
0.014ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
PowerPAK 1212
Disipación de Potencia
1.5
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto