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SI2316DS-T1-E3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 3.4 A, 0.05 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2316DS-T1-E3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85W2139
Cinta adhesiva85W2139
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteSI2316DS-T1-E3
No. Parte Newark
Re-reeling (Rollos a medida)85W2139
Cinta adhesiva85W2139
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds30
Intensidad Drenador Continua Id3.4
Resistencia de Activación Rds(on)0.042ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd960mW
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente800
Diseño de TransistorSOT-23
Disipación de Potencia960
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
30
Resistencia de Activación Rds(on)
0.042ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
SOT-23
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
3.4
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Disipación de Potencia Pd
960mW
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
800
Disipación de Potencia
960
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (23-Jan-2024)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto