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IRLIZ34GPBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 20 A, 0.05 ohm, TO-220, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLIZ34GPBF
No. Parte Newark63J7579
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRLIZ34GPBF
No. Parte Newark63J7579
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds60
Intensidad Drenador Continua Id20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.05
Resistencia de Activación Rds(on)0.05ohm
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)5
Disipación de Potencia Pd42W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Diseño de TransistorTO-220
Disipación de Potencia42
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.05
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
42W
Diseño de Transistor
TO-220
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia de Activación Rds(on)
0.05ohm
Voltaje de Prueba Rds(on)
5
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
Disipación de Potencia
42
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto