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IRFR430APBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 500 V, 5 A, 1.7 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR430APBF
No. Parte Newark63J6987
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 2500+ | $1.100 |
Precio para:Cada
Mínimo: 3000
Múltiple: 3000
$3,300.00
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFR430APBF
No. Parte Newark63J6987
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Transistor, PolaridadCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds500
Intensidad Drenador Continua Id5
Resistencia de Activación Rds(on)1.7ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente1.7
Diseño de TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Disipación de Potencia Pd110W
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4.5
Disipación de Potencia110
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead
Resumen del producto
El IRFR430APBF es un MOSFET de potencia en modo de mejora de canal N con carga de puerta baja.
- Requerimientos controlador sencillo
- Tensión y corriente de capacitancia y avalancha completamente caracterizadas
- COSS efectivo especificado
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
500
Resistencia de Activación Rds(on)
1.7ohm
Diseño de Transistor
TO-252 (DPAK)
Disipación de Potencia Pd
110W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4.5
No. de Pines
3Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Transistor, Polaridad
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
5
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
1.7
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Disipación de Potencia
110
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead
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WARNINGProposition 65