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IRFD123PBF
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 1.3 A, 0.27 ohm, HVMDIP, Agujero Pasante
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FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD123PBF
No. Parte Newark31K1939
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
No. Parte FabricanteIRFD123PBF
No. Parte Newark31K1939
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadCanal N
Tipo de CanalCanal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id1.3
Resistencia de Activación Rds(on)0.27ohm
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.27
Montaje de TransistorAgujero Pasante
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd1.3W
Diseño de TransistorHVMDIP
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente2
Disipación de Potencia1.3
No. de Pines4Pines
Temperatura de Trabajo Máx.175
Calificación-
Rango de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (10-Jun-2022)
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
Canal N
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia de Activación Rds(on)
0.27ohm
Montaje de Transistor
Agujero Pasante
Disipación de Potencia Pd
1.3W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
2
No. de Pines
4Pines
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo de Canal
Canal N
Intensidad Drenador Continua Id
1.3
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.27
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Diseño de Transistor
HVMDIP
Disipación de Potencia
1.3
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (10-Jun-2022)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (10-Jun-2022)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto
Trazabilidad del producto