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UJ4SC075011B7S
MOSFET, N-CH, 12V, 104A, D2PAK-7
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4SC075011B7S
No. Parte Newark78AK8932
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
638 En Inventario
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157 Entrega en 1-3 días hábiles(US inventario)
481 Entrega en 2-4 días hábiles(UK inventario)
Pedido antes de las 9 p.m. EST envío estándar
Opciones de embalaje
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $30.960 |
| 10+ | $23.880 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4SC075011B7S
No. Parte Newark78AK8932
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id104
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente11
Diseño de TransistorD2PAK
No. de Pines7Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5
Disipación de Potencia357
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
104
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
11
No. de Pines
7Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750
Diseño de Transistor
D2PAK
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
357
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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