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UJ4SC075008L8S
MOSFET, N-CH, 12V, 106A, MO-299-8
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4SC075008L8SCopiar
No. Parte Newark78AK8929
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $30.490 |
| 5+ | $26.470 |
| 10+ | $22.450 |
| 25+ | $22.390 |
| 50+ | $22.330 |
| 100+ | $22.280 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUJ4SC075008L8SCopiar
No. Parte Newark78AK8929
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id106A
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds750V
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente8.6mohm
Diseño de TransistorMO-299
No. de Pines8Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12V
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5.5V
Disipación de Potencia600W
Temperatura de Trabajo Máx.175°C
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
106A
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
8.6mohm
No. de Pines
8Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5.5V
Temperatura de Trabajo Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
750V
Diseño de Transistor
MO-299
Voltaje de Prueba Rds(on)
12V
Disipación de Potencia
600W
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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