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UF3C120080K3S
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 33A, TO-247-3
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120080K3SCopiar
No. Parte Newark47AK1759
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| Cantidad | Precio | Precio promocional |
|---|---|---|
| 1+ | $14.020 | $7.820 |
| 10+ | $13.100 | $7.820 |
| 25+ | $12.440 | $7.820 |
| 50+ | $11.800 | $7.820 |
| 100+ | $11.370 | $7.820 |
| 250+ | $10.910 | $7.820 |
| 500+ | $10.710 | $7.820 |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120080K3SCopiar
No. Parte Newark47AK1759
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Transistor, Polaridad0
Intensidad Drenador Continua Id33
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.08
Resistencia de Activación Rds(on)0
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia254.2
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Transistor, Polaridad
0
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia de Activación Rds(on)
0
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
33
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.08
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
254.2
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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