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UF3C120040K4S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 65 A, 1.2 kV, 35 mohm, TO-247
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FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120040K4SCopiar
No. Parte Newark47AK1758
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $28.090 |
| 5+ | $26.860 |
| 10+ | $25.640 |
| 25+ | $24.410 |
| 50+ | $22.740 |
| 100+ | $21.060 |
| 250+ | $19.390 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiple: 1
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Información del producto
FabricanteONSEMI
No. Parte FabricanteUF3C120040K4SCopiar
No. Parte Newark47AK1758
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Transistor, Polaridad0
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id65
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia de Activación Rds(on)0
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente35
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines4Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)12
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia429
Disipación de Potencia Pd0
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Jan-2023)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
35
No. de Pines
4Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Disipación de Potencia Pd
0
Rango de Producto
-
Transistor, Polaridad
0
Intensidad Drenador Continua Id
65
Resistencia de Activación Rds(on)
0
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
12
Disipación de Potencia
429
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Jan-2023)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Jan-2023)
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