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MG6331
Transistor Bipolar (BJT) Individual, Audio, NPN, 230 V, 18 A, 300 W, TO-3P, Agujero Pasante
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FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteMG6331
No. Parte Newark23T0967
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteMG6331
No. Parte Newark23T0967
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo230V
Voltaje Máx. Colector a Emisor230
Corriente del Colector Continua18
Disipación de Potencia300
Disipación de Potencia Pd300W
Corriente de Colector DC18A
Diseño de TransistorTO-3P
Montaje de TransistorThrough Hole
No. de Pines3Pines
Frecuencia de Transición60
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.70
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Resumen del producto
The MG6331 is a 230V Silicon Epitaxial Planar NPN Transistor designed for audio power applications with high current audio bipolar with wide safe operating area.
- Complement to the MG9410
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor
230
Disipación de Potencia
300
Corriente de Colector DC
18A
Montaje de Transistor
Through Hole
Frecuencia de Transición
60
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
230V
Corriente del Colector Continua
18
Disipación de Potencia Pd
300W
Diseño de Transistor
TO-3P
No. de Pines
3Pines
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
70
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto