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BDT65CX
Transistor Darlington, Darlington, NPN, 3 Pines
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FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteBDT65CX
No. Parte Newark89T8634
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteBDT65CX
No. Parte Newark89T8634
Hoja de datos técnicos
Transistor, PolaridadNPN
Voltaje Máx. Colector a Emisor120V
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo120V
Corriente del Colector Continua12A
Frecuencia de Transición-
Disipación de Potencia125W
No. de Pines3Pines
Diseño de TransistorTO-220
Montaje de TransistorThrough Hole
Temperatura de Trabajo Máx.150
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.1000hFE
Rango de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Resumen del producto
The BDT65CX is a NPN silicon epitaxial Power Transistor in monolithic Darlington circuit for audio output stages, general purpose amplifier and switching applications.
- PNP complement BDT64C
Especificaciones técnicas
Transistor, Polaridad
NPN
Voltaje de Colector-Emisor V(br)ceo
120V
Frecuencia de Transición
-
No. de Pines
3Pines
Montaje de Transistor
Through Hole
Ganancia Mínima de Corriente CD hFE Mín.
1000hFE
Calificación
-
Voltaje Máx. Colector a Emisor
120V
Corriente del Colector Continua
12A
Disipación de Potencia
125W
Diseño de Transistor
TO-220
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Rango de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto