Imprimir página
ALF16N16K
MOSFET de Potencia, Audio, Canal N, 160 V, 16 A, TO-3, Agujero Pasante
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteALF16N16K
No. Parte Newark23T0782
Su número de pieza
No está disponible
Información del producto
FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte FabricanteALF16N16K
No. Parte Newark23T0782
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds160
Intensidad Drenador Continua Id16
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente-
Resistencia de Activación Rds(on)-
Diseño de TransistorTO-3
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)-
Disipación de Potencia Pd250W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente-
Disipación de Potencia250
No. de Pines2Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
16
Resistencia de Activación Rds(on)
-
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
250W
Disipación de Potencia
250
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
160
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
-
Diseño de Transistor
TO-3
Voltaje de Prueba Rds(on)
-
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
-
No. de Pines
2Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto