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2N6796
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 8 A, 0.18 ohm, TO-39, Agujero Pasante
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FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte Fabricante2N6796
No. Parte Newark98K6265
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTT ELECTRONICS / SEMELAB
No. Parte Fabricante2N6796
No. Parte Newark98K6265
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds100
Intensidad Drenador Continua Id8
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.18
Resistencia de Activación Rds(on)0.18ohm
Diseño de TransistorTO-39
Montaje de TransistorThrough Hole
Voltaje de Prueba Rds(on)10
Disipación de Potencia Pd25W
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente4
Disipación de Potencia25
No. de Pines3Pines
Temperatura de Trabajo Máx.150
Rango de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jul-2019)
Resumen del producto
The 2N6796 is a N-channel enhancement TMOS FET offers 100V drain source voltage and 8A continuous drain current.
- 0.18Ω RDS (ON)
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Intensidad Drenador Continua Id
8
Resistencia de Activación Rds(on)
0.18ohm
Montaje de Transistor
Through Hole
Disipación de Potencia Pd
25W
Disipación de Potencia
25
Temperatura de Trabajo Máx.
150
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jul-2019)
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
100
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.18
Diseño de Transistor
TO-39
Voltaje de Prueba Rds(on)
10
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
4
No. de Pines
3Pines
Rango de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jul-2019)
Descargue el certificado de cumplimiento del producto
Certificado de conformidad del producto