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TW107N65C,S1F(S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 20 A, 650 V, 0.145 ohm, TO-247
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW107N65C,S1F(S
No. Parte Newark50AK7225
Su número de pieza
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW107N65C,S1F(S
No. Parte Newark50AK7225
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id20
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds650
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.145
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia76
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
20
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.145
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
650
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
76
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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