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TW030N120C,S1F(S
MOSFET de carburo de silicio, Sencillo, Canal N, 60 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
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FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW030N120C,S1F(S
No. Parte Newark50AK7220
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Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio |
|---|---|
| 1+ | $40.550 |
| 5+ | $39.040 |
| 10+ | $37.510 |
| 25+ | $35.960 |
| 60+ | $34.290 |
| 120+ | $33.790 |
| 270+ | $33.050 |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
No. Parte FabricanteTW030N120C,S1F(S
No. Parte Newark50AK7220
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSingle
Tipo de CanalN Channel
Intensidad Drenador Continua Id60
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds1.2
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente0.04
Diseño de TransistorTO-247
No. de Pines3Pines
Voltaje de Prueba Rds(on)18
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente5
Disipación de Potencia249
Temperatura de Trabajo Máx.175
Rango de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Single
Intensidad Drenador Continua Id
60
Resistencia Estado Encendido Drenaje a Fuente
0.04
No. de Pines
3Pines
Voltaje Máx. Umbral Compuerta a Fuente
5
Temperatura de Trabajo Máx.
175
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Tipo de Canal
N Channel
Voltaje de Drenaje-Fuente Vds
1.2
Diseño de Transistor
TO-247
Voltaje de Prueba Rds(on)
18
Disipación de Potencia
249
Rango de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Cumplimiento de ftalatos con respecto a la restricción de sustancias peligrosas (RoHS):Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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